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Triple-Output Power-Management IC for
Microprocessor-Based Systems
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(V INP1 = V INP2 = V INP3 = V IN = 3.6V, V LBI = 1.1V, V DBI = 1.35V, MR = ON2 = IN, PGM3 = GND, circuit of Figure 1, T A = -40 ° C to
+85 ° C unless otherwise noted. Typical values are at T A = +25 ° C.)
PARAMETER
Current-Sense Transresistance
P-Channel
Current-Limit Threshold
P-Channel Pulse-Skipping
Current Threshold
N-Channel Zero-Crossing
Comparator
OUT3 Maximum Output Current
LX3 Leakage Current
LX3 Duty-Cycle Range
OUT3 Discharge Resistance
CONDITIONS
2.6V ≤ V INP3 _ ≤ 5.5V (Note 2)
V INP3 = 5.5V, LX3 = GND or INP3, V OUT3 = 3.6V
V INP3 = 4.2V
V OUT3 = 3.3V, V DBI = 1V
MIN
0.40
1.15
0.115
25
0.8
-20
0
TYP
0.47
1.275
0.140
55
0.1
300
(Note 3)
MAX
0.54
1.45
0.160
75
+20
100
UNITS
V/A
A
A
mA
A
μA
%
?
REFERENCE
REF Output Voltage
REF Load Regulation
REF Line Regulation
10μA < I REF < 100μA
2.6V < V BATT < 5.5V
1.225
1.25
2.5
0.6
1.275
6.25
5
V
mV
mV
OSCILLATOR
Switching Frequency
0.85
1
1.15
MHz
THERMAL SHUTDOWN
Thermal Shutdown Temperature
Thermal Shutdown Hysteresis
T J rising
160
15
° C
° C
SUPERVISORY/MANAGEMENT FUNCTIONS
Reset Timeout
OUTOK Trip Threshold
OUTOK, LBO
Minimum Assertion Time
LBI Input Threshold
LBI Input Bias Current
DBI Input Threshold
DBI Input Bias Current
MR rising to RSO rising
V FB2 rising
V FB2 falling
V LBI falling
V LBI rising
V LBI = 0.95V
V DBI falling, T A = 0 ° C to +85 ° C
V DBI rising, T A = 0 ° C to +85 ° C
V DBI falling, T A = -40 ° C to +85 ° C
V DBI rising, T A = -40 ° C to +85 ° C
V DBI = 1.25V
55
94
91
107
0.98
1.00
1.2103
1.2345
1.198
1.221
65.5
95.5
92.5
126
1.000
1.020
0.02
1.235
1.2597
1.235
1.260
0.01
75
97.5
94
145
1.02
1.04
0.1
1.2597
1.2849
1.273
1.298
0.1
ms
%
μs
V
μA
V
μA
4
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